Arraste para mover; use dois dedos ou os botões para aproximar. Toque num número.
Uma tabela da norma de componentes eletrônicos do centro Goddard, da NASA. Ela não traz limites de um componente: diz como usar os limites que estão na folha de dados de qualquer transistor. Toque nos números.
- Tipo
- Norma técnica de seleção e uso de componentes
- Data
- Maio de 2003; Addendum 1 em abril de 2008
- Autor
- NASA, Goddard Space Flight Center
- Original
- NASA/TP-2003-212242, cópia em PDF da Abbott Aerospace
NASA, Goddard Space Flight Center, EEE-INST-002 (NASA/TP-2003-212242), 2003, com o Addendum 1 de 2008 · Domínio público
Table 4 TRANSISTOR DERATING REQUIREMENTS
Derating for transistors is accomplished by multiplying the stress parameter by the appropriate derating factor.
Type: All (Note 2). Stress parameter / Derating factor: Power 0.60; Current 0.75; Voltage (Note 1) 0.75; Junction Temperature 2/ 0.80. Type: Power MOSFETs. Gate to Source Voltage 0.60; Source to Drain Voltage 0.75; Junction Temperature 2/ 0.80.
Notes: 1/ Worst-case combination of DC, AC, and transient voltage should be no greater than the derated limit. 2/ Do not exceed Tj = 125 °C or 40 °C below the manufacturer's maximum rating, whichever is lower or less. 3/ Power MOSFET devices under certain conditions are very susceptible to catastrophic failure mechanisms, such as Single Event Burn-out (SEB) and Single Event Gate Rupture (SEGR), resulting from heavy ion impact. Consult the project radiation engineer for further information and applicable derating criteria.
Section S1, Semiconductor Devices, Discrete. Page 13 of 13. EEE-INST-002, 5/03.
Tradução técnica: Tabela 4, exigências de redução de limites para transistores. A redução é feita multiplicando o parâmetro de solicitação pelo fator de redução correspondente. Todos os tipos: potência, 0,60; corrente, 0,75; tensão, 0,75 (nota 1); temperatura de junção, 0,80 (nota 2). MOSFETs de potência: tensão porta-fonte, 0,60; tensão fonte-dreno, 0,75; temperatura de junção, 0,80. Notas: 1. A combinação de pior caso de tensão contínua, alternada e transitória não deve passar do limite reduzido. 2. Não exceda Tj de 125 °C nem 40 °C abaixo do limite máximo do fabricante, o que for menor. 3. MOSFETs de potência, em certas condições, são muito suscetíveis a falhas catastróficas, como a queima e a ruptura de porta por evento único, causadas pelo impacto de íons pesados; consulte o engenheiro de radiação do projeto.